碱性显影液

在 PCB/半导体光刻工艺中，经过曝光的光刻胶（正性光刻胶）的曝光区域会发生化学结构变化，在显影液中的溶解度显著提高；GEN-DV301通过其中的有机碱成分选择性溶解曝光区光刻胶，保留未曝光区的光刻胶，从而将掩膜版上的图形精确转移到基板上。

GEN-DV301  碱性显影液是图形转移过程中的核心化学品。在 PCB/半导体光刻工艺中，经过曝光的光刻胶（正性光刻胶）的曝光区域会发生化学结构变化，在显影液中的溶解度显著提高；GEN-DV301 通过其中的有机碱成分选择性溶解曝光区光刻胶，保留未曝光区的光刻胶，从而将掩膜版上的图形精确转移到基板上。

GEN-DV301 适用于各种类型的正性光刻胶和干膜，在精细线路（L/S ≤ 30μm）的显影中表现优异，线宽/线距控制精度高，图形边缘陡直，线条均匀一致。

图形转移是 PCB 和半导体制造中决定线路精度的核心工艺。显影液作为图形转移工序的关键化学品，其性能直接影响着线路的线宽/线距精度、图形边缘质量和制程良率。

竞生化学 GEN-DV301  碱性显影液是针对高精度图形转移需求开发的专业显影液。

解决痛点：

• 痛点一：显影不彻底，残留物导致短路或开路。 GEN-DV301 显影完全，线路槽底无残留。
• 痛点二：显影线宽偏差大，阻抗控制不达标。 整板线宽偏差可控制在 ±2μm 以内。
• 痛点三：显影液对铜面或基材产生攻击。 GEN-DV301 配方体系温和，对铜面、基材和阻焊层无攻击。

适用场景包括：用于PCB板、半导体集成线路、液晶显示（LCD）制造过程的图形转移工艺，适用于各种类型的正性光刻胶